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分析铝诱导晶化真空蒸镀多晶硅薄膜技能环亚娱乐ag88登录
来源:未知 作者:admin 发布时间:2018-10-10 07:21 浏览量:

  分析铝诱导晶化真空蒸镀多晶硅薄膜技能

  因为薄膜太阳能电池工艺能够有用下降硅资料的耗费,然后大大地下降成本,并且能够确保变换功率,因而成为当今科学研讨和光伏工业的热门。铜铟硒薄膜曾被认为是抱负的光伏资料,凯8娱乐,电池功率能够到达15%,可是其制备过程中需要对首要半导体工艺参数准确操控及原资料缺乏严峻限制着其出产和开展。碲化镉薄膜太阳能电池在可见光段有很高的吸收系数,太阳能电池变换功率能够到达10%以上,可是镉是有毒元素,在出产和使用过程中会对环境形成不良影响。非晶硅薄膜禁带光吸收性比较强,电池只需做到几微米厚,可是其光致阑珊现象十分严峻,大大下降了人们对它的热心。多晶硅薄膜能够战胜以上几种薄膜的缺陷,然后成为当时研讨的要点和未来开展的趋势。

  现在,多晶硅薄膜常用的制备办法有等离子体增强化学气相堆积,热丝化学气相堆积,准分子激光晶化,固相晶化,快速热处理等。现有研讨选用真空蒸镀法制备非晶薄膜后经铝诱导晶化得到多晶硅薄膜。比较其它办法,该办法具有工艺简略,晶化温度较低,晶化时刻较短,薄膜晶化率较高,晶粒尺度较大等特色。经过原子力显微镜、拉曼光谱等剖析手法深入研讨了衬底间隔、衬底温度、退火温度等对薄膜外表描摹、晶粒尺度和散布以及晶化率的影响。

  试验质料为纯度99.99%的多晶硅粉末。电阻蒸发源为高纯度的石墨片,尺度为80mm×5.8mm×1.7mm。选用一般玻璃为衬底,先用去离子水清洗,再分别用丙酮、无水乙醇超声清洗5min,最终用去离子水清洗洁净,外表皿中烘干。用DM-450A型真空镀膜机在玻璃衬底外表蒸镀一层非晶硅薄膜,并在非晶硅薄膜外表蒸镀1层相对较薄的铝膜,经过调理不同的工艺参数制备出若干样品。将样品放入箱式电阻炉中,在300-500℃下真空退火必定时刻。将样品置于规范铝腐蚀液中腐蚀以去除外表残留的铝。

  选用真空蒸镀的办法在玻璃衬底上堆积1层非晶硅薄膜,再经过铝诱导晶化的办法能够制备出晶粒散布较均匀、晶粒尺度0.5-5μm、晶化率到达89%的多晶硅薄膜。衬底间隔对薄膜的外表描摹有显着影响,适中的衬底间隔得到的薄膜晶粒散布均匀、外表平整度好,薄膜厚度较大。衬底温度和退火温度对薄膜的晶化率影响明显,在试验条件下,薄膜的晶化率跟着衬底温度的进步而增大;跟着退火温度的进步,薄膜的晶化率增大,当温度到达500℃时晶化率到达最大值,退火温度进一步进步,薄膜的晶化率反而下降。环亚娱乐ag88登录

  

   薄膜太阳能多晶硅